3d dram 文章最新資訊

移動(dòng) DRAM 價(jià)格暴漲，智能手機(jī)生產(chǎn)承壓

集邦咨詢（TrendForce）表示，2026 年第二季度移動(dòng) DRAM 價(jià)格仍在大幅上漲，本已因整體內(nèi)存供應(yīng)緊張而削減生產(chǎn)計(jì)劃的智能手機(jī)廠商，如今又面臨新的成本壓力。該機(jī)構(gòu)最新的內(nèi)存市場(chǎng)研究顯示，LPDDR4X 解決方案的平均售價(jià)（ASP）預(yù)計(jì)在 2026 年第二季度環(huán)比至少上漲 70%–75%；LPDDR5X 漲幅更快，預(yù)計(jì)環(huán)比上漲 78%–83%。此前數(shù)個(gè)季度價(jià)格已連續(xù)大幅攀升，如今正直接影響手機(jī)產(chǎn)品規(guī)劃。移動(dòng) DRAM 價(jià)格分化，供應(yīng)商策略各異集邦咨詢稱，三星與 SK 海力士定價(jià)路線似乎不同：三星
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移動(dòng)端DRAM合約價(jià)格再上漲

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）最新發(fā)布的存儲(chǔ)調(diào)查報(bào)告顯示，2026年第二季度移動(dòng)端DRAM合約價(jià)格繼續(xù)大幅走高，智能手機(jī)廠商的成本壓力正持續(xù)加劇。值得注意的是，韓國(guó)兩大內(nèi)存原廠在本輪漲價(jià)中采取了不同策略：三星傾向于一次性上調(diào)到位，漲幅較為明顯；而SK海力士目前給出的臨時(shí)報(bào)價(jià)漲幅相對(duì)緩和，采取逐級(jí)推高的節(jié)奏，預(yù)計(jì)到五月下旬才能完成最終定價(jià)。綜合來看，集邦咨詢預(yù)估，第二季度LPDDR4X的平均售價(jià)（ASP）環(huán)比漲幅至少為70%–75%，LPDDR5X則達(dá)到78%–83%。連續(xù)多個(gè)季度的高額漲價(jià)已
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SoC 集成度如何影響 SMT 貼片良率

本文詳解 SoC 系統(tǒng)級(jí)芯片集成度對(duì) SMT 貼片良率的影響，涵蓋細(xì)間距 BGA 工藝難題、封裝翹曲、回流焊溫度曲線優(yōu)化以及檢測(cè)管控策略。系統(tǒng)級(jí)芯片 SoC 存在明顯的矛盾特性：它能簡(jiǎn)化整機(jī)電路原理圖，卻大幅增加貼片組裝難度。將 CPU、GPU、內(nèi)存等完整計(jì)算架構(gòu)集成到單顆裸片內(nèi)部，雖然減少了整機(jī)元器件數(shù)量，但也讓焊點(diǎn)互聯(lián)工藝難度大幅提升。從常規(guī) 0.8mm 間距器件升級(jí)到 0.35mm 細(xì)間距 SoC，制造工藝窗口被極度壓縮。在超高密貼片場(chǎng)景中，一次貼片良率（FPY）不只是一項(xiàng)指標(biāo)，更是直接決定生產(chǎn)盈
關(guān)鍵字： SoC 系統(tǒng)級(jí)芯片 SMT 貼片良率 BGA 細(xì)間距封裝翹曲回流焊曲線 IPC-7525 鋼網(wǎng)開孔面積比枕形虛焊 HiP 潤(rùn)濕不良開路 NWO 焊點(diǎn)空洞 3D X-Ray 檢測(cè) 氮?dú)饣亓?/a> 盤中過孔封孔 POFV

Omdia大幅上調(diào)預(yù)期：2026年半導(dǎo)體行業(yè)增速飆升至62.7%

2026年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來爆發(fā)式行情，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia上調(diào)行業(yè)收入增速預(yù)期至62.7%。此次預(yù)期上調(diào)，源于人工智能算力需求持續(xù)重塑基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)格局，帶動(dòng)DRAM、NAND等存儲(chǔ)芯片需求暴漲。這預(yù)示著整條供應(yīng)鏈機(jī)遇與風(fēng)險(xiǎn)并存：既有元器件短缺隱憂，也面臨系統(tǒng)成本上漲、產(chǎn)品設(shè)計(jì)優(yōu)先級(jí)重構(gòu)等變化。存儲(chǔ)供需缺口進(jìn)一步加劇本輪行業(yè)暴漲的核心，是存儲(chǔ)芯片供需緊張局面持續(xù)加深。Omdia預(yù)計(jì)，2026年DRAM市場(chǎng)規(guī)模近乎翻倍，NAND市場(chǎng)規(guī)模較2025年最高有望增長(zhǎng)四倍。關(guān)鍵誘因是行業(yè)集體轉(zhuǎn)向高帶寬內(nèi)存HBM
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三星1d DRAM良率問題或拖慢HBM5E量產(chǎn)計(jì)劃

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）因良率未達(dá)標(biāo)，短期內(nèi)可能無法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，進(jìn)而影響其下一代HBM內(nèi)存的推進(jìn)節(jié)奏。這一技術(shù)問題直接波及三星計(jì)劃中的HBM5E產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)。一位接近三星內(nèi)部的人士透露，三星電子決定在D1d良率達(dá)到預(yù)期目標(biāo)之前無限期推遲量產(chǎn)計(jì)劃，且尚未明確重啟時(shí)間。公司正重新審視工藝路線圖，以尋求良率提升的解決方案。盡管D1d DRAM技術(shù)此前已通過預(yù)生產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA），但因良率低于預(yù)期，三星對(duì)其試產(chǎn)和量產(chǎn)的投資回報(bào)率（ROI）表示擔(dān)憂。D1d DRAM技術(shù)對(duì)三
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1864億！SK海力士達(dá)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率高達(dá)72%，碾壓臺(tái)積電

2026年4月23日，SK海力士今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。?SK海力士2026年第一季度主要數(shù)據(jù)：營(yíng)收52.58萬億韓元（2429.2億元人民幣），較上一季度的32.83萬億韓元增長(zhǎng)60%，同比增長(zhǎng)198%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn) 37.61 萬億韓元（1737.6 億元人民幣），同比增長(zhǎng) 405.5%；凈利潤(rùn) 40.34 萬億韓元（1863.7 億元人民幣），同比增長(zhǎng) 397.6%。從季度業(yè)績(jī)來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為37.6萬億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率達(dá)
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NAND報(bào)價(jià)狂漲：LTA將成為存儲(chǔ)器行業(yè)主流模式

本輪半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇的核心引擎，當(dāng)屬NAND閃存的價(jià)格暴漲。據(jù)摩根士丹利證券預(yù)測(cè)，MLC（及成熟制程TLC）產(chǎn)品價(jià)格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達(dá)40%，缺口持續(xù)擴(kuò)大助推價(jià)格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價(jià)格動(dòng)能轉(zhuǎn)強(qiáng)，甚至超越DRAM：預(yù)估一般型DRAM在第二季度合約價(jià)格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產(chǎn)能幾近消失，終端客戶庫(kù)存普遍僅剩六至九個(gè)月，供需結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)趨緊繃。大摩科技產(chǎn)業(yè)分析師在最新釋出的報(bào)告中指
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DRAM的 “打地鼠” 式安全危機(jī)

核心要點(diǎn)Rowhammer（行錘）仍是 DRAM 的主要安全威脅，Rowpress（行壓）正成為新的相關(guān)威脅。內(nèi)存控制器發(fā)出的新型刷新指令可緩解問題，但并非完美解決方案。更小的垂直結(jié)構(gòu) DRAM 單元有望從根本上消除問題，但距離量產(chǎn)仍需數(shù)年。Rowhammer 已經(jīng)困擾了數(shù)代 DRAM 產(chǎn)品，并且隨著制程進(jìn)步愈發(fā)嚴(yán)重。與之相關(guān)的新型漏洞 Rowpress 也隨之出現(xiàn)。新的刷新指令可以減輕不良影響，但要徹底根除問題，可能只能依靠新一代 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。新思科技（Synopsys）應(yīng)用工程執(zhí)行董事
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三星無懼DRAM崩盤恐慌：一季度漲價(jià)翻倍后，二季度再提價(jià) 30%

如今的內(nèi)存市場(chǎng)，簡(jiǎn)直像維多利亞時(shí)代那位被焦慮裹挾的貴婦一樣歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 領(lǐng)域：現(xiàn)貨價(jià)格小幅回調(diào)，就引發(fā)了 “行業(yè)末日” 的唱衰論調(diào)，甚至連帶股價(jià)大跌。但三星這類真正的行業(yè)巨頭卻始終淡定，并且鐵了心按計(jì)劃持續(xù)提價(jià)。三星 2026 年一季度 DRAM 價(jià)格翻倍后，二季度內(nèi)存產(chǎn)品再平均漲價(jià) 30%據(jù)韓國(guó)《ETNews》報(bào)道，三星已對(duì)其 DRAM 產(chǎn)品執(zhí)行 ** 季度環(huán)比約 30%的提價(jià)供貨。關(guān)鍵在于，此次漲價(jià)是在2026 年一季度 DRAM 均價(jià)同比大漲 100%** 的基礎(chǔ)上繼續(xù)上
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內(nèi)存漲不停 Q2上看5成

TrendForce最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)研究指出，大廠逐步退出成熟DDR4以下產(chǎn)品制造的策略不變，在市場(chǎng)供給結(jié)構(gòu)持續(xù)收斂下，過去幾個(gè)月，整體價(jià)格已累積驚人漲幅。由于目前市場(chǎng)供需仍未平衡，市場(chǎng)普遍看好，內(nèi)存報(bào)價(jià)漲勢(shì)，至少將延伸到今年下半年。TrendForce考量供給持續(xù)縮減，以及訂單轉(zhuǎn)移，但臺(tái)廠產(chǎn)能擴(kuò)張不及等因素，預(yù)估2026年第二季consumer DRAM合約價(jià)格，仍將持續(xù)季增45~50%。內(nèi)存業(yè)者則更樂觀的預(yù)期，今年全年價(jià)格都將維持向上趨勢(shì)。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
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多材料3D打印機(jī)“現(xiàn)場(chǎng)”制造整臺(tái)電動(dòng)機(jī)

增材制造（3D 打印）的驚人進(jìn)步已耳熟能詳，它可以使用一長(zhǎng)串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需復(fù)刻現(xiàn)有零件，另一些則是采用鍛造、機(jī)加工、注塑、鑄造、擠壓、化學(xué)蝕刻等任何標(biāo)準(zhǔn)制造工藝都無法生產(chǎn)的結(jié)構(gòu)。麻省理工學(xué)院（MIT）的一組研究人員現(xiàn)已開發(fā)出一個(gè)多材料 3D 打印平臺(tái)，可一步到位完整打印出電氣設(shè)備（圖 1）。圖 1 本研究開發(fā)的多模式、多材料擠出系統(tǒng)集成工具：(a) E3D Hemera 絲材擠出機(jī)；(b) 帶定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 顆粒
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DRAM合約價(jià)再度上漲30%

韓國(guó)媒體ETnews報(bào)道，三星在一季度將DRAM合約價(jià)上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價(jià)將再度上漲30%。由于隨著對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴(kuò)展，包括三星在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上，通用DRAM的供應(yīng)變得不足，導(dǎo)致價(jià)格急劇上漲。據(jù)悉，三星已確認(rèn)于3月底與主要客戶完成價(jià)格談判，并簽署了供應(yīng)合同。DRAM合約價(jià)30%的漲幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手機(jī)所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已經(jīng)將DRAM的平均價(jià)格提高了100%。這意味著，如果2025年DRAM價(jià)格為10000韓元
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美光CEO：DRAM供不應(yīng)求將持續(xù)至2027年

4月2日，據(jù)外資投行摩根士丹利針對(duì)美光科技（Micron）的跟蹤報(bào)告顯示，美光董事長(zhǎng)兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投資人會(huì)議中透露，盡管美光正在加速擴(kuò)產(chǎn)DRAM，但新產(chǎn)能最快要到2027年底才能出貨。因此，DRAM供不應(yīng)求的局面將持續(xù)至2027年。此外，部分關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備的產(chǎn)能不足也是導(dǎo)致這一現(xiàn)象的重要原因。目前，人工智能芯片對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的強(qiáng)勁需求，成為DRAM市場(chǎng)供不應(yīng)求的核心瓶頸。美光計(jì)劃在2025年第三季度將其HBM市場(chǎng)份額提升至與整體DRAM市場(chǎng)份額持平的水平
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長(zhǎng)鑫科技IPO最新進(jìn)展

根據(jù)上交所官網(wǎng)披露的信息顯示，國(guó)產(chǎn)DRAM巨頭長(zhǎng)鑫科技科創(chuàng)板IPO審核狀態(tài)變更為“中止”，引起市場(chǎng)關(guān)注。關(guān)于此次“中止”，上交所給出的說明為“長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司因發(fā)行上市申請(qǐng)文件中記載的財(cái)務(wù)資料已過有效期，需要補(bǔ)充提交?！毙枰赋龅氖?，目前的“中止”狀態(tài)并非“終止”。本次“中止”屬于IPO審核過程中的技術(shù)性暫停，而非審核終止，不妨礙企業(yè)IPO的正常審核，通常在企業(yè)補(bǔ)充披露審計(jì)材料并提交更新稿后，審核程序?qū)⒒謴?fù)，上市進(jìn)程未受實(shí)質(zhì)性影響。針對(duì)此次IPO中止，長(zhǎng)鑫科技相關(guān)消息人士明確回應(yīng)，此次狀態(tài)調(diào)整屬于
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存儲(chǔ)市場(chǎng)超級(jí)周期來臨：AI 驅(qū)動(dòng)下的機(jī)遇、挑戰(zhàn)與產(chǎn)業(yè)重構(gòu)

存儲(chǔ)器行業(yè)固有的 boom-bust 周期魔咒、供應(yīng)鏈重構(gòu)壓力、技術(shù)迭代挑戰(zhàn)以及全球產(chǎn)業(yè)格局的重新洗牌，也讓這場(chǎng)繁榮背后暗藏多重考驗(yàn)。
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